W bezpośredniej dyspozycji zespołu badawczego znajduje się wszelka niezbędna aparatura technologiczna, pomiarowa i oprogramowanie symulacyjne:

Aparatura technologiczna umieszczona jest w dwóch halach technologicznych (clean room’ach) o powierzchni 200 m2 i powierzchni 300 m2 i klasie czystości lepszej niż 10 000. W każdej z hal wydzielono pomieszczenia o powierzchni 15 m2 i 20 m2 dla potrzeb nanolitografii, o klasie czystości 100. Hale technologiczne posiadają pełną infrastrukturę (centralne instalacje próżni, azotu, wodoru i wody dejonizowanej) i tworzą kompletną linię technologiczną, w skład której wchodzi wyposażenie niezbędne do realizacji zadań projektu:

• dwa urządzenia do epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych MOVPE do wzrostu warstw AIIIN, w tym jedno firmy AIXTRON z reaktorem CCS 3x2”, umożliwiającym jednoczesne wzrost warstw i heterostruktur AlGaN/GaN na trzech dwucalowych podłożach, Możliwość domieszkowania i zmiany przewodnictwa materiałów na typ n oraz p,
• urządzenie do epitaksji warstw grubych GaN techniką HVPE,
• stanowisko do epitaksji techniką MOVPE warstw i heterostruktur wieloskładnikowych AIIIBV (Al, Ga, In, P, As ). Możliwość domieszkowania i zmiany przewodnictwa materiałów na typ n oraz p,
• stanowisko do epitaksji techniką MOVPE warstw i heterostruktur ) materiałów AIIIBV-N wyposażony w horyzontalny reaktor AIX200 R&D, wykorzystywany do krystalizacji heterostruktur półprzewodnikowych (Ga, In, Al)(N, As), 
• urządzenia UHV PVD225 firmy K.J. Lesker do nanoszenia wielowarstw metalicznych metodami parowania przy użyciu działa elektronowego oraz rozpylania magnetronowego, 
• stanowisko PlasmaLab 80plus firmy Oxford Instruments do osadzania warstw dielektrycznych SiO2, Si3N4, SiON techniką chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganego plazmą PECVD, 
• stanowisko PlasmaLab 80plus firmy Oxford Instruments do reaktywnego trawienia jonowego RIE warstw AIIIN, 
• stanowisko PlasmaLab 100 firmy Oxford Instruments do osadzania warstw DLC oraz nanodiamentu techniką chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganego induktywnie sprzężona plazmą ICP-PECVD, 
• stanowisko AS-Micro RTP firmy Annealsys do przeprowadzania szybkich porocesów termiczncych RTA/RTP, 
• stanowisko do przeprowadzania szybkich porocesów termiczncych RTA/RTP, 
• stanowisko do procesów wygrzewania wysokotemperaturowego firmy EFCO, 
• stanowisko do procesów suchego i mokrego utleniania, 
• stanowisko do wytwarzania chromowych i emulsyjnych masek do fotolitografii o rozmiarze 6x6 cm, wymiar charakterystyczny struktur > 3 µm,
• stanowisko do nanoszenie poliimidu techniką ”spin-on”,
• urządzenie do fotolitografii UV (MA56 f-my Karl Suss) na podłożach o wymiarach od 8 mm2 do 3”, wymiar charakterystyczny > 0,6 µm,
• piła do separacji chipów DAD3221 firmy DISCO,

Aparatura kontrolno-pomiarowa:

• mikroskop AFM/STM (system MultiMode f-my Veeco, z kontrolerem NanoScope V, z modułami aplikacyjnymi (SSRR, SPM, SCM, STM, TM) wyposażony w grzany stolik, komorę atmosferyczną, komórkę do pomiarów w cieczach oraz przystawkę do ostrzowych pomiarów elektrycznych),
• skaningowy mikroskop elektronowy SEM Su6600 firmy Hitachi z detektorem EDS/EDX Thermo Scientific,
• zestaw do pomiarów b.w.cz. struktur HEMT (analizator sieci N5230A na zakres 300 kHz-20 GHz, f-my Agilent Tech., Inc. wraz z oscyloskopem cyfrowym f-my Agiletnt Tech, Inc. (do 3 GHz), wyposażony w zestaw sond umożliwiających pomiary tzw. „on wafer” do 6 GHz,
• oscyloskop DSO 80304B f-my Agilent Tech. (3 GHz) do analizy wielko-sygnałowej pracy tranzystora oraz analizy odpowiedzi przy pobudzeniu impulsem lasera UV w metodzie OBIC,
• stanowisko do spektroskopii impedancyjnej (analizator impedancji HP 4192A, 5 Hz-13 MHz, sonda rtęciowa), które umożliwia określanie rozkładu płytkich i głębokich poziomów energetycznych, wyznaczenie rezystancji powierzchniowej materiałów i jej modulacji przyłożonym napięciem, jakościową analizę efektów związanych z powierzchnią półprzewodnika i powstawaniem kontaktów Schottky’ego oraz ich upływnościami,
• układ do bezkontaktowego pomiaru rezystancji powierzchniowej metodami mikrofalowymi (analizator sieci R4-36, 4-12 GHz),
• system do pomiaru i mapowania prądów indukowanych wiązką światła (OBIC) oraz system do pomiarów i mapowania u-PL na zakres UV, 2 spektrofotometry (wysokorozdzielcze monochromatory firmy Jobin-Yvon z kamerami CCD),
• system do pomiaru charakterystyk I-V struktur przyrządowych,
• system DLTS do pomiarów w zakresie temperatur od 10 do 500 K.